Тип памяти DDR Форм-фактор DIMM 184-контактный Тактовая частота 400 МГц Пропускная способность 3200 Мб/с Объем 1 модуль 1 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Дополнительно Напряжение питания 2.5 В
Socket FM1 Ядро Ядро Llano Количество ядер 3 Техпроцесс 32 нм Частотные характеристики Тактовая частота 2100 МГц Интегрированное графическое ядро есть Встроенный контроллер памяти есть Кэш Объем кэша L1 128 Кб Объем кэша L2 3072 Кб Наборы команд Инструкции MMX, SSE, SSE2, SSE3, SSE4, 3DNow! Поддержка AMD64/EM64T есть Поддержка NX Bit есть Поддержка Virtualization Technology есть Типичное тепловыделение 65 Вт